聚焦中小容量存储芯片研发设计，东芯半导体亮相上海慕尼黑电子展

发布于：2021/4/16 10:06:08 | 21709 次阅读

[转载]原文链接：http://news.eccn.com/news_2021041516161523.htm

上海慕尼黑电子展在新国际博览中心盛大开幕，东芯半导体股份有限公司（下称：东芯半导体）携旗下存储芯片产品线重磅亮相。
东芯半导体成立于2014年，聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售，是目前国内可以同时提供NAND、NOR、DRAM、MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。
展会期间，东芯主要展示了五大产品线：Serial NAND Flash、Parallel NAND Flash、Serial NOR Flash、DDR3、MCP。
SPI NAND Flash为单芯片设计的串行通信方案，不但引脚少和封装尺寸小，且在一颗芯片上集成了存储阵列和控制器，还同时带有内部ECC。其中产品有3.3V/1.8V高低电压，拥有多种封装，满足诸多应用场景，如光猫、路由器、网络摄像监控、IoT及智能音箱等。
PPI NAND Flash兼容传统的并行接口标准，适合大数据的读写。可提供容量从1Gb到8Gb，3.3V/1.8V两种电压和多种封装方式的产品，以满足不同应用场景，在网络通信、智能音箱、安防监控、机顶盒等领域中广泛应用。
SPI NOR Flash可提供容量从2Mb到256Mb，3.3V/1.8V两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式和DTR传输模式，拥有多种封装方式，广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。
相对于DDR1和DDR2，DDR3具有更高的传输率及更低的工作电压，可提供1.5V/1.35V两种电压模式，且具有标准SSTL接口的DDR3，具有8n-bit prefetch DDR架构，8个内部bank，是主流的内存产品。
MCP将Flash和DDR合二为一进行封装，不仅具有成本优势，更是简化了走线设计，节省空间。Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V不仅可用于常见有源器件，更可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。
东芯半导体销售总监李健表示，目前，东芯的SPI NAND采用28nm制程工艺，PPI NAND采用24nm制程工艺，这在业界相对来说是比较领先的制造工艺，因此在成本上，东芯有良好的优势。NOR Flash方面，东芯48nm制程工艺产品已经达到量产标准，在普遍是65nm、58nm及55nm制程工艺下，东芯同样具备成本优势。此外，在芯片内部的电路设计，东芯在高可靠性、高抗震率及环境温度条件上具有良好的参数指标，为后续向车规级汽车电子方向迈出了坚实的一步。

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