中芯/华虹/长电“芯”成绩一览

发布于:2017/5/25 9:42:25 | 310 次阅读

长电科技

自2009年来,长电科技承担重大专项五项,借助专项的实施,掌握了国际先进封装技术,包括WLCSP、WAafer Bumping、FC、铜线工艺等十大封装技术,与国际封测主流技术同步。

尤其是十二五产业化项目开发的具有自主知识产权的高密度铜柱凸块技术已经成为未来十年先进封装的基本单元技术,最终实现最小线宽9um,最小线距7um的布线能力并实现规模化生产,该成果为中国封测业摘掉“技术落后”帽子的重要性一步。目前长电科技已经成为的WLCSP封装基地,同时也是第四大晶圆凸块封装基地。

02组、国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟秘书长于燮康介绍说,通过02专项应用工程的实施,在长电科技建立了国产高端封测设备和材料验证平台,形成了“下家考核上家、系统考核部件、应用考核技术、市场考核产品”的成果评价方式,有力地促进封测产品与设备、材料制造商之间在工艺、技术创新上形成有效联动、达到“无缝结合”,进而带动整个及与之相关联产业的进一步发展,实现多方共赢,帮助了国内封测企业减少设备、材料的购置费,成本下降约30%,在一定程度上扭转了依赖进口设备和材料的局面,推动了我国集成电路设备及材料的国产化。

上海华虹

在02专项支持下,华虹宏力坚持的差异化特色工艺,产学研用紧密结合,完成了8英寸特色工艺全面布局,成为大智能卡IC代工厂和的 8英寸代工厂;加速了IGBT、MEMS等工艺技术的开发。

(1)130-90纳米嵌入式闪存

多款产品的主要技术指标均达到了同期世界水平,广泛应用于和熊智能卡(包括SIM卡、金融IC卡)、)和智能电网等。目前,智能电表国内市场占有率达40%以上,SIM卡市场占有率达30%。项目累计销售已超过40亿元。

(2)IGBT和超级结

建立了先进的背面晶圆加工能力,是目前国内拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂,场截止型IGBT技术参数可比肩国际企业,实现了大规模量产。

成功开发了国际先进的深沟槽填充型超级结系列产品,其中深沟漕技术超越了国外主流制造工艺水平,累计出货超过20万片。

(3)MEMS

联合国内设计公司,推出了最小的COS-MEMS单芯片集成气压计和世界首款AMG和ASIC集成的三轴单芯片磁传感器,填补了国内的磁传感器空白,打破了外国供应商的长期垄断,实现了大规模量产。

中芯国际

在02专项支持下,中芯国际产能和技术研发取得突破性进展,成套工艺水平由2008年的110纳米提升到28纳米,完成65-45-28纳米成套工艺研发并实现量产:65/55纳米产品累计销售超过180亿元,40/45纳米产品累计销售超过100亿元,2015年32/28纳米工艺开始量产高通骁龙系列产品,产品累计销售超过180亿元,2016年28纳米高K金属栅工艺(HKMG)成功流片,并经联芯4G移动终端AP产品;14纳米研发获得突破;2017年联合中科院微电子所等单位开始了“7-5纳米集成电路先导工艺与系统集成新技术”的研发。

中芯国际作为行业龙头企业,不仅全面遵照“02”专项用户考核制”,为国产材料 、装备及零部件提供公共验证平台,更根据集成电路大规模生产的特点和要求,积极主动协助设备材料企业开展技术攻关,带动国产材料、装备及零部件验证和应用,取得了一大批经得起市场检验可以参与国际竞争的成果产品。

公共验证平台覆盖350纳米到28纳米所有制程。12英寸厂成功验证12个设备种类,占设备分类数的13%,中芯国际北方厂12寸国产设备量产突破1000万片。

材料方面,中芯国际下属8英寸和12英寸厂都有国产材料验证成功并上线使用,截止2016年共有60个国产材料验证成功并采购使用,全部材料国产化比率达13%。

通过专项立项整体布局,中芯国际与国内设计企业联系愈加紧密,先后为20余家设计单位提供65-28纳米产品开发支持,海思、展锐、中兴微、大唐联芯、瑞芯微等加大国内投片比例。2016年国内设计公司营收占公司总收的将近50%,并就14纳米技术节点与中芯国际开展密切合作。

先进工艺研发过程中,中芯国际坚持走产学研合作创新道路,历时超过7年,经65纳米至7纳米五个工艺代,合作创新单位包括国内集成电路领域秀的研究所和高校。

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