发布于：2017/12/23 9:40:07 | 1635 次阅读
1947年，贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中个里程碑。
1949年12月23日晚，在美国贝尔实验室的一个由肖克莱、巴丁和布拉顿三人组成的研究小组正在用两根与半导体锗晶片紧密接触的金属探针来研究锗晶片中电流传导时，他们发现了晶体管效应。并在此基础上制出了世界上枚锗点接触晶体管。从此开创了人类大规模利用半导体的新时代。
1953年出现了锗合金晶体管。
1955年又出现了扩散基区锗合金晶体管。
1956年国务院组织制订了我国十二年科技发展规划，并提出了“向科学进军”的口号。其中，发展半导体被作为发展技术的一项特别提案列入了发展规划。
1956年晶体管的发明获得了诺贝尔物理奖。在授奖仪式上，肖克莱预言：“晶体管的发明不仅仅是一项技术发明，更是一项伟大的科学发现”
1957年北京大学、南开大学、复旦大学、吉林大学和厦门大学等五所高校联合在北京大学举办我国首届半导体培训班。
1957年美国仙童公司利用硅晶片上热生长二氧化硅（SiO2）工艺制造出世界上只硅平面晶体管。从此，硅成为人类利用半导体材料的主要角色。
1958年美国德州仪器公司青年工程师基尔比将几个锗晶体管芯片粘在一个锗片上，并用细金丝将这些晶体管连接起来，形成了世界上块集成电路。
1958年我国枚锗晶体管试制成功。
1960年初美国仙童公司的诺依思用平面工艺制造出了块实用化的集成电路芯片。这个芯片包含了4个晶体管和6个电阻器，组成了一个环形振荡器。集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元。
1961年，德州仪器为美国空军研发出个基于集成电路的计算机，即所谓的“分子电子计算机”。美国宇航局也开始对该技术表示了极大兴趣。当时，“阿波罗导航计算机”和“星际监视探测器”都采用了集成电路技术。
1961年我国个集成电路研制课题组成立。
1962年我国代硅平面晶体管问世。
1962年，德州仪器为“民兵-I”型和“民兵-II”型导弹制导系统研制22套集成电路。这不仅是集成电路次在导弹制导系统中使用，而且是电晶体技术在军事领域的首次运用。
1963年，F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术。
1965年，摩尔定律诞生，戈登·摩尔（GordonMoore）在ElectronicsMagazine杂志一篇文章中预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍（10年后修正为每两年）。
1965年我国代单片集成电路在北京、石家庄和上海等地相继问世。
1966年，美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出块门阵列（50门）。
1968年7月，诺依斯和摩尔从仙童公司辞职，创立了Intel公司，英文名Intel为“集成电子设备（integratedelectronics）”的缩写。
1969年，英特尔公司为日本计算机公司研发的“Busicom141-PF”计算机设计12块芯片。但英特尔公司的工程师泰德-霍夫等人却根据日本公司的需求提出了另一套设计方案。于是诞生了历史上个微处理器--4004。
1970年，汉米尔顿公司推出的“普尔萨”是世界上只数字手表。
1971年，Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），包含2000多只晶体管，采用Intel10μmPMOS技术生产，标志着大规模出现。
1972年，我国自主研制的大规模集成电路在四川永川半导体研究所诞生，实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。
1974年，RCA公司推出个CMOS1802
1975年，上海无线电十四厂成功开发出当时属国内水平的1024位移位存储器，集成度达8820个元器件，达到国外同期水平。
1976年16kbDRAM和4kbSRAM问世。
1978年，64kbDRAM诞生，在不足0.5cm2的硅片上集成了14万只晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临。
1979年Intel推出5MHz8088微处理器，之后，IBM基于8088推出台PC。
1981年256kbDRAM和64kbCMOSSRAM问世。
1984年无锡华晶从日本东芝公司全面引进了3英寸/5微米的彩电芯片生产线。
1987年台积电建立，成为家纯粹的晶圆代工厂，促进了无晶圆半导体产业的繁荣，也宣告着半导体制造业开始从西方向东方迁移。该年大智、硅统、扬智、瑞昱、诠华、华展、群立、普腾等公司成立。
1988年，16MDRAM问世，1cm2大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着集成电路进入特大规模集成（ULSI）时代。
1988年9月上海贝岭成为国内微电子行业家中外合资企业，并建成了国内条4英寸/3微米的数字程控交换机芯片生产线。
1989年486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用0.8μm工艺。
1990年三星推出16MbDRAM。
1991年华邦成功开发首颗64KSRAM。
1992年64M位随机存储器问世。英特尔开始采用8英寸晶圆。三星成为的DRAM厂商。台湾地区各半导体厂陆续进入0.6微米制程。
1993年66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺。三星建立个8英寸晶圆厂，同年成为的存储器厂商。IBM和摩托罗拉推出用于PC的RISC芯片。
1994年三星推出块256Mb的DRAM。联电、华邦开发完成0．5微米制程。
1995年NEC开发出块1GbDRAM。
1995年英特尔分别发布Pentium120MHz/Pentium133MHz/Pentium150MHz/Pentium166MHz/Pentium180MHz/Pentium200MHz处理器，工艺技术上升到0.35微米。
1996年三星推出1GbDRAM。同时，三星在美奥斯汀建厂。
1997年，Intel公司300MHz奔腾Ⅱ微处理器问世，采用0.25μm工艺。集成电路进入深亚微米时代。
1997年成立上海华虹NEC电子有限公司并于1998年建成我国条8英寸生产线。
1998年三星宣布推出首块128M闪存。
1999年2月：Intel发布了奔腾III处理器，含有950万只晶体管，采用Intel0.25μm技术生产。
1999年三星发布块1G闪存原型。
1999年中芯国际落户上海，2000年中芯国际的两条8英寸生产线同时建成投产。
2000年台积电成立座12寸晶圆厂。
2000年Intel发布了0.13微米工艺制造的TualatinPentiumIII-S处理器。
2001年三星512MbNAND闪存进人量产，推出数字音频SoC。
2002年Intel采用12英寸晶圆并引人90nm工艺。英特尔发布Pentium43.06GHz处理器，采用了0.13微米工艺技术。该年中芯国际开始批量生产0.18微米、8英寸芯片产品。
2003年三星推出款4GbNAND闪存。
2003年9月24日，AMDAthlon64处理器正式推出，Athlon64的发布才真正的宣告了个人64位计算时代的到来。
2004年德州仪器宣布单芯片手机，并发布65nm工艺。
2004年6月Intel推出了采用Prescott的Pentium4处理器，采用了并不成熟的0.09微米工艺，导致晶体管在高频率下电流泄漏严重，反而是功耗和发热量提高了不少。
2005年中星微电子在美国纳斯达克上市，成为家在美国上市的中国公司，随着珠海炬力也成功上市。
2006年8月，三星公司采用40nm工艺制造出32GbNAND型闪存，集成了328亿个存储器元胞。
2006年三星、IBM和特许半导体共同为高通生产出片90nm处理器。三星推出基于32Mb闪存的固态硬盘SSD，使闪存在PC中逐渐替代硬盘成为趋势。
2006年，Intel终于放弃了Netburst架构，推出了Core2微架构再震动了业界。首款Core2Duo处理器拥有1.67亿个晶体管，基于的是65nm工艺，拥有4ML2缓存，前端总线频率为1，066MHz。
2007年三星发布50nm16GbNAND闪存，可用于SSD。同时其60nmDRAM进入规模量产。
2007年上半年，IBM宣布了采用45nmSOI工艺的高性能ASIC，采用10层金属布线，典型门延迟为3.8ps～9.9ps，电路密度1480千门·mm-2，功耗为3.2/2.6nW/MHz/门，电源电压VDD仅为1.0V/0.9V。
2010年3月16日，英特尔公司正式推出了酷睿i7处理器版IntelCorei7980x处理器。采用业界的32nm制作工艺
2011年3月，Intel发布了使用32nm工艺全新桌面级和移动端处理器，其采用了i3、i5和i7的产品分级架构。
2011年台积电宣布28nm制程工艺正式迈入量产阶段，成为芯片代工行业量产28nm产品的厂商。
2012年：英特尔发布22纳米工艺和第三代处理器。
2014年底，三星宣布了世界14nmFinFET3D晶体管进入量产，标志着半导体晶体管进入3D时代。
2014年中国国家投资基金（大基金）设立。
2015的到来，Intel14nm处理器终于迎来了轮的爆发，第五代Core系列处理器正式登场。
2015年台积电宣布已经正式开始量产16nmFinFET工艺产品。
2015年中芯国际宣布28纳米产品实现量产。
2016年三星宣布10nm工艺在移动处理器上的率先量产。
2017年台积电解决10nm工艺生产良率的问题，量产苹果A11芯片。
2017年9月Intel在“Intel精尖制造日”上首次向展示了其10nm晶圆，并表示：“老虎不发威，当我是病猫吗？”
产业可谓是战略性、基础性和先导性产业，是发展数字经济的重要支撑，在信息技术领域的地位十分突出。当前，世界各国特别是发达国家争相抢占集成电路产业的战略制高点。
习近平总书记多次强调指出：“技术受制于人是我们的隐患。一个互联网企业即便规模再大、市值再高，如果元器件严重依赖外国，供应链的‘命门’掌握在别人手里，那就好比在别人的墙基上砌房子，再大再漂亮也可能经不起风雨，甚至会不堪一击。”
引用丁文武的一句话作为结尾：“2014年成立集成电路大基金以来，我国斥巨资打造芯片强国，这条路越走越顺，理想也越来越接近。我们有理由坚信，中国在自主领域的雄心壮志终将实现。”
TME-TransferMultisortElektronikSp.zo.o. 深圳特美意电子贸易有限公司 是波兰TransferMultisortElektronikSp.zo.o.公司在中国设立的子公司。 2018年在深圳成立，是TME公司在亚洲的第一个子公司，主要负责TME在中国大陆、中国香港和中国台湾市场的业务及市场拓展。 TME波兰总公司始创于1989年 初是两兄弟开设的电
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发布于：2022-10-13
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发布于：2022-10-12
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