发布于：2014/8/22 0:00:00 | 2733 次阅读
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，是一种 最常见的半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。据IHS调查显示，2013年世界DRAM的销售值比上年窜升了32.5%，达到350亿美元，2014年还将快速增长19.4%，达418亿美元，2015年稍差，但也能微增2%，达到425亿美元。在广泛的DRAM领域内，所有业者都竭尽全力争取属于自己的市场，希望跟上此一领域对产量需求的快速变化。通过近年的整合，世界DRAM市场趋于稳定，形成 三星、SK Hynix和Micron三足鼎立之势，现世界排名前10的DRAM公司，我国宝岛台湾的企业更是占据半壁江山。
三星电子是韩国的电子工业公司，同时也是三星集团旗下的子公司。集电子、机械、化工、金融及贸易服务为一体的集团。三星集团是韩国的特大型集团之一，也是世界着名的跨国公司。
三星集团始于贸易公司，进而以电子产品，特别是电子高科技领域的新产品研制开发能力而闻明世界。1994年，三星电子开发出个256M DRAW(动态存储器是决定计算机存储量的关键部件)。1995年开发出个22英寸TET-LCD。1996年成功地开发出个1GB DRAW(动态储存器)。1997年成功地开发出苏个30英寸TET-LCD。
根据DRAMeXchange表示，2014年第二季DRAM产值达108亿美元，较上季成长9%。由于产品比重调配得宜，三大DRAM厂获利能力皆进一步上升，其中仍以三星表现，营业获利达39%，三星品牌记忆体市占率各为39%，逼近四成市场占有率，
在DRAM制程方面，三星25nm良率第二季已经来到85%左右，产出增加与第二季合约价持续上涨，营收季成长20%。由于制程成本持续下降，第二季营业利益来到39%，为叁大DRAM厂中。值得注意的是，三星Line17工厂正在兴建当中，预计明年第二季初导入量产规模，将会对DRAM价格产生一定程度的影响。
Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为塬来的现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为的存储器制造商。2012年2月，韩国第叁大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
海力士在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于位. 在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。
在DRAMeXchange进行的2014年第二季DRAM产值调查中，SK海力士以营业获利38%紧追叁星，品牌记忆体市占率为27%。在DRAM制程方面，其无锡厂于季完全恢复商转，但良率仍有改善的空间，加上刚转进25nm新制程，初期必有产能的耗损，营收仅小幅成长6%，但随着后续25nm投片持续提升，下半年会有较大幅度的营收成长。
Micron(美国镁光)半导体是第叁大内存芯片厂，是着名的半导体存储器方案供应商，是美国500强企业之一。
Micron是其中先进的半导体解答世界的提供者之一。Micron微量和闪光组分用于现代的计算，Micron的网络和通信产品，包括计算机、工作站、服务器、手机、无线电设备、数字照相机和GAMING系统。
镁光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是半导体解决方案的供应商之一。Micron通过化的运营，镁光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易(NYSE)。
镁光(Micron)身为世界第二大内存颗粒制造商，产品在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌，其颗粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场，在IBM、HP、Dell等国际知名品牌都可以看到其内存颗粒的产品，可知其稳定性及超频性好。
要问现在的内存超频颗粒哪种最火，答案毫无疑问是镁光的小D9颗粒，优越的超频性能和相对低廉的售价让镁光小D9颗粒的内存成为市场中的抢手货。
目前常见到的小D9颗粒编号一般为D9GCT、D9GMH、D9GKX等，内存厂商Crucial、Corsair、Mushkin、Patriot、OCZ、Geil等多家超频内存提供商均有使用，前段时间创造内存超频世界纪录的也正是这款颗粒。
2014年第二季DRAM产值调查中美光集团中则以华亚科营业获利达54.6%最为亮眼，美光集团由于新加坡Tech厂第二季产能全数转进NAND相关产品，投片减少情况下让美光DRAM营收小幅下滑2%，营业利益为25.5%。美光现阶段以30nm制程为主，但25nm制程正积极转进中，预计第四季可以导入20nm制程试产行列，量产时间点落在明年上半年，有机会拉近与韩系厂商的技术门槛。
南亚科技股份有限公司成立于1995年3月4日，致力于DRAM(动态随机存取内存)之研发、设计、制造与销售，并在美国、欧洲、日本、大陆设立营销点，其股东为台塑集团之南亚塑料股份有限公司。
南亚科技跻身成为世界一流DRAM内存及相关产品制造服务供货商，以两位数的市场占有率为目标。
南亚科技除巩固其在标准型内存市场市占率外，更积极经营利基型(非标准型)内存市场，包括服务器用内存、消费型内存及行动式内存(Mobile RAM)叁大产品线的研发、生产及销售。在服务器用内存及消费型内存领域已有优异成绩表现，且行动式内存领域正逐渐茁壮。预期这些高附加价值产品在2011年占总营业额比重可提高至叁成以上，可为南科销售量带来逐月成长，且期许2012年能挑战营收过半的策略目标。非标准型内存利润较高且市场稳定，属高附加价值的产品，南科致力强化该内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。
在制程进度上，南亚科技的42纳米制程技术已于2010年第四季开始量产，计划于2011年中全数可转换至42纳米(不包含部份为利基型内存产品线所保留的产能)，以2Gb DDR3芯片生产为主，将于下半年导入4Gb DDR3的产品。3X纳米制程技术规划将于今(2011)年第二季导入投片。南亚科技致力拥有自主技术及经营自有品牌，并持续强化高附加价值利基型(非标准型)内存战线，期能进一步提升台湾DRAM产业在国际的竞争力。
为提升技术力与竞争力，南亚科技于2008年4月与美国美光公司(Micron)签订10年共同研发合约，共同致力于先进制程技术，开发更高附加价值产品。南亚科技与美国美光公司(Micron)签订50纳米以下制程技术共同开发合约，自2008年12月起共同分享华亚科技的产出。华亚科技已于2010年第四季完成50纳米技术转换，并达产能满载每月13万片之投片。华亚科技计划于2011年季开始42纳米量产，且于2011年年中完成绝大多数的产能转换。此策略联盟，与美光共同研发，同时在台湾培养本土的研发人才，使技术在台生根，以达到永续经营的目标。
台湾力晶半导体股份有限公司为提升在国际市场的竞争力及达到量产的经济规模，公司设立之初，力晶即与日本叁菱电机建立技术、生产与销售的策略联盟关系。另一方面，力晶亦为日商瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工伙伴，发展系统晶片(System LSI)产品。九十五年力晶和尔必达签订共同开发50奈米DRAM制程技术备忘录，掌握关键科技自主能力;同年，力晶也与瑞萨达成协议，取得AG-AND Flash技术授权，成为我国家具备高容量快闪记忆体产销实力的半导体厂商。
目前与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟，双方携手合作共同研发力晶半导体晶圆厂最DRAM技术。代工方面，力晶亦为叁菱与日立LSI部门合并后的新公司瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工伙伴，迈向系统晶片(System LSI)产品领域。
力晶现有12吋晶圆厂叁座(P1,P2及P3厂)。是目前台湾12吋厂产能的存储器芯片制造公司。
力晶位于新竹科学园区的首座八吋晶圆厂(8A厂)自八十五年开始运转，投入生产DRAM，并于今年分割独立为鉅晶电子(股)公司，专注于利基型DRAM、驱动IC等晶圆代工之业务;目前力晶拥有叁座总月产能达十叁万片的十二吋晶圆厂(P1/P2/P3厂)，为的记忆体制造公司。九十五年十二月，力晶更与尔必达于台湾中部科学园区后里基地合资设立瑞晶电子公司，计画斥资新台币4,500亿元建置十二吋晶圆DRAM厂区。另外，力晶也于今年动土兴建第四座与第五座十二吋晶圆厂
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