矽品FOW封装技术可缩小晶片堆叠尺寸

       封装业者矽品精密(SPIL)日前宣布，该公司已采用FOW(FilmOverWire)封装技术，成功为客户量产FlashCard记忆卡。这项FOW封装技术可以灵活运用在堆叠封装上，具有降低堆叠封装高度14%以及缩减宽度14%的优势，并且能够保护晶片及焊线不受到损伤。 

      电子产品强调轻薄短小而且功能强大，使得产品内部每项零组件体积必须不断微缩，以节省体积及减轻重量，处处挑战厂商制造能力极限，因此堆叠封装技术(StackedDiePackage)就成为缩减体积的解决方案之一，其特点就是能够在体积限制之下，将更多的晶片封装在一起。不过堆叠封装目前也遭遇到技术上的瓶颈，因为在堆叠层数持续增加的情形下，的高度和宽度一定会超过封装体的范围。 

      矽品的FOW封装技术，号称突破了体积限制的瓶颈，采用不同于传统的晶片堆叠方式，可以比一般晶片堆叠封装高度低14%、宽度缩减14%，能够节省 

      多的空间，适合应用在高堆叠层数，以及晶片面积大小相近的产品上，在经过多层堆叠之后，仍然可以达到CSP(ChipScalePackage)要求。目前可以应用的产品为高容量记忆体(DRAM及Flash)堆叠封装。 

      矽品表示，该公司已经成功将FOW封装技术运用在FlashCard记忆卡，量产了堆叠3层NANDFlashCard记忆卡。而2007年矽品更是将充分发挥FOW技术，在FlashCard记忆卡严苛的体积条件限制之下，率先研发出堆叠9层晶片的产品，层数比以往大幅增加3倍。