三星：DDR6、HBM3 和其他高速内存计划

发布于：2021/11/22 11:20:24 | 1203 次阅读

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前瞻性:英特尔第12代Core Alder Lake的发布正式将DDR5带入主流，让用户可以选择传统的DDR4或基于DDR5的新平台。不幸的是，持续的材料短缺和运输延误已经使大多数消费者几乎买不到新的内存。尽管目前的平台存在可用性和成熟度方面的挑战，但三星已经概述了下一代超高速内存的未来计划。
DDR5目前是一个新产品。它内存更大，速度更快，不幸的是很难在市场上找到。自从新的DDR标准发布以来，现在随着英特尔的第12代Alder Lake CPU，狂热者们一直渴望得到任何DDR5内存套件，以利用内存速度和容量的增加。在今年的三星科技日(Tech Day)上，该公司透露了他们的下一代内存开发计划，这肯定会吸引各地的速度爱好者的注意。
DDR5将DDR4的JEDEC标准速度提高了一倍，从3200兆位每秒(MT/s)提高到6400兆位每秒。虽然还没有被接受为JEDEC标准，但三星的目标是通过DDR6再次将标准速度提高一倍，将其提高到12800 MT/s，理论上的超时钟速度高达17000 MT/s。该标准目前处于开发的早期阶段，预计在2024年推出。
DDR6并不是即将出现的仅有一种新的内存标准。三星还暗示将进一步开发以图形为中心的GDDR6，计划中的GDDR6 标准将达到24,000 MT/s的速度。
很近，SK海力士首次推出了高带宽内存3(HBM3)，三星电子也紧随其后。三星电子计划很早在2022年第二季度开始生产HBM3。HBM内存为高性能计算(HPC)用户提供了一种更快、更高效、但价格更高的传统GDDR内存替代方案。上一代HBM2用于AMD的Vega,、Radeon VII和RadeonPro系列图形处理器，以及某些Nvidia图形处理器，包括TitanV和Quadro GP100。
和DDR5一样，DDR6将增加每个模块上的通道和bank数量。这些架构上的差异，以及其他因素，如内存时间、延迟、电源管理和纠错码(ECC)能力，都是促使三星能够继续推进内存速度和可靠性边界的因素。

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